Fraunhofer Freiburg im Breisgau
Wissenschaftler (all genders) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt Galliumnitrid
Aufgaben
Entwicklung und Optimierung von MOCVD-Produktionsprozessen für GaN-Bauelementstrukturen hinsichtlich Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit. Akquisition und Steuerung von nationalen und internationalen Projekten zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie in Zusammenarbeit mit dem Geschäftsfeld Leistungselektronik. Interdisziplinäre Zusammenarbeit mit den Abteilungen Technologie und Mikroelektronik zur Entwicklung zukunftsweisender Lösungen.
Anforderungen
• Wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Materialwissenschaft oder Mikrosystemtechnik oder ähnliche Fachrichtung; Promotion von Vorteil • Erfahrung in metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD), insbesondere GaN-Elektronik • Kenntnisse in Materialwissenschaften und Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente • Selbstständige Arbeitsweise und schnelle Einarbeitungsfähigkeit • Verhandlungssichere Englischkenntnisse • Teamfähigkeit und Kommunikationsstärke • Begeisterung für experimentelle Arbeit • Vorteilhaft: Erfahrung in industriellem Umfeld und Projektakquisition/-leitung
Redaktionelle Kurzfassung auf Basis der öffentlich zugänglichen Ausschreibung. Der vollständige Text steht bei der ausschreibenden Einrichtung. Zur Original-Ausschreibung →
Besonderheiten
Wissenschaftler (all genders) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt GalliumnitridWissenschaftler (all genders) für MOCVD-Epitaxie mit Schwerpunkt GalliumnitridFreiburg im BreisgauIAF - Angewandte Festkörperphysik
Schlagworte
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