Fraunhofer Freiburg im Breisgau
Scientist (all genders) for MOCVD epitaxy with a focus on gallium nitride
Aufgaben
• Weiterentwicklung von MOCVD-Produktionsprozessen für GaN-Komponentenstrukturen mit Fokus auf Qualität, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit • Akquisition und Management von nationalen und internationalen Projekten zur Stärkung der europäischen Halbleiterindustrie in Zusammenarbeit mit der Geschäftseinheit Leistungselektronik • Interdisziplinäre Zusammenarbeit mit Epitaxie- und Mikroelektronik-Abteilungen zur Entwicklung innovativer Lösungen • Umsetzung von Forschungsergebnissen in Anwendungen
Anforderungen
• Abgeschlossenes Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Materialwissenschaften, Mikrosystemtechnik oder ähnliches; Promotion vorteilhaft • Erfahrung in Metall-Organischer Gasphasenepitaxie (MOCVD), insbesondere in GaN-Elektronik und Materialwissenschaften • Kenntnisse über Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente • Unabhängige Arbeitsweise, schnelle Einarbeitung in neue Aufgabenstellungen • Teamfähigkeit, starke Kommunikationsfähigkeiten, Freude an experimenteller Arbeit • Geschäftsfließendes Englisch • Idealerweise: Erfahrung in industriellem Umfeld und Projektakquisition
Redaktionelle Kurzfassung auf Basis der öffentlich zugänglichen Ausschreibung. Der vollständige Text steht bei der ausschreibenden Einrichtung. Zur Original-Ausschreibung →
Besonderheiten
Scientist (all genders) for MOCVD epitaxy with a focus on gallium nitrideScientist (all genders) for MOCVD epitaxy with a focus on gallium nitrideFreiburg im BreisgauIAF - Applied Solid State Physics
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