Fraunhofer-Gesellschaft
Promotion im Bereich GaN-Schaltungen für höchste Leistung
Aufgaben
• Entwurf integrierter Hochfrequenzschaltungen (MMICs) auf Basis der 100-V-GaN-HEMT-Technologie für Kommunikations- und Radaranwendungen bis 12 GHz • Optimierung von Bauelementen hinsichtlich HF-Performance bei Betriebsspannungen bis 200 V • Erforschung innovativer Entwärmungskonzepte wie Diamant-Topside-Cooling • EM-Feldanalysen zur Charakterisierung von GaN-HEMTs und kontinuierliche Weiterentwicklung der Simulationsmethodik • Begleitung von Entwicklungsprozessen von der Entwurfsphase bis zur messtechnischen Charakterisierung • Durchführung von Messungen, Auswertung von Ergebnissen sowie Publikation und Präsentation auf internationalen Konferenzen
Anforderungen
• Abgeschlossenes Studium (Diplom oder Master) in Elektro-, Mikrosystem- oder Nachrichtentechnik oder Physik • Sicherer Umgang mit Schaltungs- und EM-Simulationsprogrammen (z.B. ADS, CST, HFSS) • Fachwissen in messtechnischer Charakterisierung von Halbleiterbauelementen (S-Parameter-, Load-Pull-Messungen) • Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse • Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke und selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise
Redaktionelle Kurzfassung auf Basis der öffentlich zugänglichen Ausschreibung. Der vollständige Text steht bei der ausschreibenden Einrichtung. Zur Original-Ausschreibung →
Besonderheiten
Promotion im Bereich GaN-Schaltungen für höchste LeistungPromotion im Bereich GaN-Schaltungen für höchste LeistungFreiburg im BreisgauIAF - Angewandte Festkörperphysik
Schlagworte
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