Fraunhofer-Gesellschaft

Scientist (all genders) - GaN Components, Circuits & Modules

Bayern · Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF, Abteilung Mikroelektronik
Arbeitszeit Vollzeit Befristung befristet 3 Jahre
Aufgaben
Entwicklung hochleistungs-GaN-Komponenten und -Module für Hochfrequenzanwendungen bis 10 GHz von Konzept bis Charakterisierung.
Anforderungen
Master/Diplom Elektrotechnik oder verwandtes Feld, idealerweise PhD; HF-Modulsdesign, Simulationstools (ADS, CST), S-Parameter-Messtechnik.
Redaktionelle Kurzfassung auf Basis der öffentlich zugänglichen Ausschreibung. Der vollständige Text steht bei der ausschreibenden Einrichtung. Zur Original-Ausschreibung →
Besonderheiten
Scientist (all genders) - GaN Components, Circuits & ModulesScientist (all genders) - GaN Components, Circuits & ModulesFreiburg im BreisgauIAF - Applied Solid State Physics
Schlagworte
GalliumnitridGaN-KomponentenHochfrequenztechnikMikrowellentechnikLeistungselektronikSchaltungsdesignEM-SimulationADSCSTHFSSHalbleitermetrologieElektrotechnikKommunikationstechnikMasterPhDDeutschEnglischTeamfähigkeitwissenschaftliche UnabhängigkeitFraunhofer
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