Fraunhofer Freiburg im Breisgau

Masterthesis: GaN-Based RF Power Devices & Circuits

Baden-Württemberg · Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF), Abteilung Mikroelektronik
Arbeitszeit 40 Stunden/Woche Befristung befristet 6 Monate
Aufgaben
Masterthesis zu GaN-basierten RF-Leistungsverstärkern und -schaltkreisen mit Fokus auf Design, Charakterisierung und Modellierung.
Anforderungen
Masterstudent der Physik oder Elektrotechnik mit Interesse an wissenschaftlicher Arbeit, Teamfähigkeit und Eigenständigkeit.
Redaktionelle Kurzfassung auf Basis der öffentlich zugänglichen Ausschreibung. Der vollständige Text steht bei der ausschreibenden Einrichtung. Zur Original-Ausschreibung →
Besonderheiten
Masterthesis: GaN-Based RF Power Devices & CircuitsMasterthesis: GaN-Based RF Power Devices & CircuitsFreiburg im BreisgauIAF - Angewandte Festkörperphysik
Schlagworte
GaN-HalbleiterHEMTsRF-LeistungselektronikPower AmplifiersMikroelektronikSchaltungstechnikCharakterisierungModellierungLabortechnikEnglischTeamfähigkeitWissenschaftliches ArbeitenMasterthesis
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