Fraunhofer Freiburg im Breisgau

Master Thesis - Novel RF Transistor Technologies for (Sub-)Milllimeter Wavelength Power Amplifiers

Baden-Württemberg · Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF

Arbeitszeit 40 Stunden/Woche Befristung befristet 6 Monate

Aufgaben

Charakterisierung und Modellierung von HEMT-Transistoren mit Backside Field Plate, RF-Messungen (DC, S-Parameter, Load-Pull) und TCAD-Simulationen zur Optimierung.

Anforderungen

Student Elektrotechnik/Physik mit Kenntnissen in Hochfrequenzelektronik, Python-Programmierung und idealerweise ADS/ICCAP-Erfahrung.

Redaktionelle Kurzfassung auf Basis der öffentlich zugänglichen Ausschreibung. Der vollständige Text steht bei der ausschreibenden Einrichtung. Zur Original-Ausschreibung →

Besonderheiten

Master Thesis - Novel RF Transistor Technologies for (Sub-)Milllimeter Wavelength Power AmplifiersMaster Thesis - Novel RF Transistor Technologies for (Sub-)Milllimeter Wavelength Power AmplifiersFreiburg im BreisgauIAF - Applied Solid State Physics

Schlagworte

HEMTsTransistortechnologieMillimeterwellenRF-CharakterisierungTCADKeysight ADSPythonDatenanalyseElektrotechnikHalbleitertechnikHochfrequenztechnikwissenschaftliches ArbeitenTeamfähigkeitEnglischkenntnisse

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